深圳市怡兴业电子科技有限公司

3年

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企业档案

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  • 地址:深圳市福田区深南中路佳和大厦b座1202-03
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产品分类

优势库存(5000)普通库存(500000)集成电路(IC)(1508)电源IC(590)半导体存储器(90)二极管(241)三极管(20)场效应管MOSFET(196)可控硅IGBT(11)单片机(16)电容器(457)电阻器(12)电感器(19)电位器(1)电源/稳压器(54)微调电位器(1)连接器/接插件(49)开关(3)传感器(50)继电器(6)变频器(1)放大器(184)电声(扬声器)配件(1)印刷线路板(1)光电子/光纤/激光(2)LED(16)编码器(2)LED生产线制造设备(1)微波器件(4)其他未分类(102)
FQA18N50V2 功率场效应晶体管
FQA18N50V2 功率场效应晶体管
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FQA18N50V2 功率场效应晶体管

型号/规格:

FQA18N50V2

品牌/商标:

ON(安森美)

封装形式:

TO-3PN-3

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

贴片式

包装方式:

卷带编带包装

产品信息

产品属性    属性值
制造商:     onsemi
产品种类:     MOSFET
RoHS:      详细信息
技术:     Si
安装风格:     Through Hole
封装 / 箱体:     TO-3PN-3
晶体管极性:     N-Channel
通道数量:     1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:     500 V
Id-连续漏极电流:     20 A
Rds On-漏源导通电阻:     265 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:     - 30 V, %2B 30 V
zui小工作温度:     - 55 C
zui大工作温度:     %2B 150 C
Pd-功率耗散:     277 W
通道模式:     Enhancement
封装:     Tube
商标:     onsemi / Fairchild
配置:     Single
下降时间:     110 ns
正向跨导 - zui小值:     16 S
高度:     20.1 mm
长度:     16.2 mm
产品类型:     MOSFET
上升时间:     150 ns
    30
子类别:     MOSFETs
晶体管类型:     1 N-Channel
类型:     MOSFET
典型关闭延迟时间:     95 ns
典型接通延迟时间:     40 ns
宽度:     5 mm
零件号别名:     FQA18N50V2_NL
单位重量:     4.600 g

公司还提供以下

封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216)
1210(3225) 1812(4532) 2220(5750)FQA18N50V2
电压:4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV FQA18N50V2
精度:?0.05PF(A档) ?0.1PF(B档) ?0.25PF(C档) ?0.5%(D档)
?1%(F档) ?2%(G档) ?5%(J档) ?10%(K档)FQA18N50V2
?20%(M档) ?%2B80%-20%(Z档)FQA18N50V2
材质:COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌:村田 三星 国巨 风华 华新

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