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深圳市怡兴业电子科技有限公司
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产品分类
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询价相关产品
产品信息
参数名称
参数值
Source Content uid
IRF6631TRPBF
是否Rohsren证
符合
生命周期
Obsolete
Objectid
8006007519
包装说明
CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
风险等级
8.71
其他特性
LOW CONDUCTION LOSS
雪崩能效等级（Eas）
13 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
zui小漏源击穿电压
30 V
zui大漏极电流 (ID)
13 A
zui大漏源导通电阻
0.0078 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-XBCC-N3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
CHIP CARRIER
极性/信道类型
N-CHANNEL
zui大脉冲漏极电流 (IDM)
100 A
ren证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
NO LEAD
端子位置
BOTTOM
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
公司还提供以下
封装： 0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2102） 1206（3216）1210（3225） 1812（4532） 2220（5750）IRF6631TRPBF
电压：4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV IRF6631TRPBF
精度：?0.05PF（A档） ?0.1PF（B档） ?0.25PF（C档） ?0.5%（D档）
?1%（F档） ?2%（G档） ?5%（J档） ?10%（K档）IRF6631TRPBF
?20%（M档） ?%2B80%-20%（Z档）IRF6631TRPBF
材质：COG NPO Y5V X5R X6S X7R
品牌：村田 三星 国巨 风华 华新
温馨启示：电子元件是特殊产品，技术含量较高，由于本身可能存在着多种品牌，后辍与封装，所以可能导致参数与性能的差异，如有不慎，很有可能导致元件购买错误(此种失误，非质量问题一律不退换！)，为了的解决您的问题，请您在购买我们元件前，将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们！拍下物品前请与我沟通产品价格，因格不稳定，实时单价请在线咨询，以便我们能准确的发货
全系列电容均有现货，如有查不到请联系客服，竭诚为您服务。
