深圳市怡兴业电子科技有限公司

3年

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企业档案

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  • 电话:0755-82568996
  • 手机:13828875961
  • 阿库IM:
  • 地址:深圳市福田区深南中路佳和大厦b座1202-03
  • E-mail:3008079730@qq.com

产品分类

优势库存(5000)普通库存(500000)集成电路(IC)(1508)电源IC(590)半导体存储器(90)二极管(241)三极管(20)场效应管MOSFET(196)可控硅IGBT(11)单片机(16)电容器(457)电阻器(12)电感器(19)电位器(1)电源/稳压器(54)微调电位器(1)连接器/接插件(49)开关(3)传感器(50)继电器(6)变频器(1)放大器(184)电声(扬声器)配件(1)印刷线路板(1)光电子/光纤/激光(2)LED(16)编码器(2)LED生产线制造设备(1)微波器件(4)其他未分类(102)
SNA-386-TR1 射频/微波放大器
SNA-386-TR1 射频/微波放大器
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SNA-386-TR1 射频/微波放大器

型号/规格:

SNA-386-TR1

品牌/商标:

RFMD

封装:

4GW-LD

批号:

22+

包装方式:

卷带编带包装

产品信息

参数名称 参数值
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohsren证 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1444895757
包装说明 SL,4GW-LD,.085CIR
Reach Compliance Code unknown
风险等级 5.87
特性阻抗 50 Ω
构造 COMPONENT
增益 19 dB
zui大输入功率 (CW) 10 dBm
JESD-609代码 e0
安装特点 SURFACE MOUNT
端子数量 4
zui大工作频率 3000 MHz
zui小工作频率
zui高工作温度 85 °C
zui低工作温度 -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装等效代码 SL,4GW-LD,.085CIR
电源 4 V
射频/微波设备类型 WIDE BAND LOW POWER
子类别 RF/Microwave Amplifiers
表面贴装 YES
技术 GAAS
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
zui大电压驻波比 1.5
SNA-386-TR1


公司还提供以下

封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216)
1210(3225) 1812(4532) 2220(5750)SNA-386-TR1
电压:4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV SNA-386-TR1
精度:±0.05PF(A档) ±0.1PF(B档) ±0.25PF(C档) ±0.5%(D档)
±1%(F档) ±2%(G档) ±5%(J档) ±10%(K档)
±20%(M档) ±+80%-20%(Z档)SNA-386-TR1
材质:COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌:村田 三星 国巨 风华 华新

温馨启示:电子元件是特殊产品,技术含量较高,由于本身可能存在着多种品牌,后辍与封装,所以可能导致参数与性能的差异,如有不慎,很有可能导致元件购买错误(此种失误,非质量问题一律不退换!),为了的解决您的问题,请您在购买我们元件前,将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们!拍下物品前请与我沟通产品价格,因格不稳定,实时单价请在线咨询,以便我们能准确的发货

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