深圳市怡兴业电子科技有限公司

3年

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企业档案

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产品分类

优势库存(5000)普通库存(500000)集成电路(IC)(1508)电源IC(590)半导体存储器(90)二极管(241)三极管(20)场效应管MOSFET(196)可控硅IGBT(11)单片机(16)电容器(457)电阻器(12)电感器(19)电位器(1)电源/稳压器(54)微调电位器(1)连接器/接插件(49)开关(3)传感器(50)继电器(6)变频器(1)放大器(184)电声(扬声器)配件(1)印刷线路板(1)光电子/光纤/激光(2)LED(16)编码器(2)LED生产线制造设备(1)微波器件(4)其他未分类(102)
MMBFJ310LT1G 射频小信号场效应晶体管
MMBFJ310LT1G 射频小信号场效应晶体管
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MMBFJ310LT1G 射频小信号场效应晶体管

型号/规格:

MMBFJ310LT1G

品牌/商标:

ON/安森美

封装:

SOT-23-3

批号:

22+

包装方式:

卷带编带包装

产品信息

参数名称 参数值
Source Content uid MMBFJ310LT1G
Brand Name ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
生命周期 Active
Objectid 2014177033
零件包装代码 SOT-23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3
制造商包装代码 318-08
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 77 weeks
风险等级 0.6
Samacsys Description Transistor JFET N-Channel 25V SOT23 ON Semiconductor MMBFJ310LT1G N-channel JFET Transistor, Idss 24 → 60mA, 25 V, 3-Pin SOT-23
Samacsys Manufacturer onsemi
配置 SINGLE
zui小漏源击穿电压 25 V
FET 技术 JUNCTION
zui大反馈电容 (Crss) 2.5 pF
zui高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码 TO-236
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 DEPLETION MODE
zui高工作温度 150 ?C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
zui大功率耗散 (Abs) 0.225 W
ren证状态 Not Qualified
子类别 Other Transistors
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的zui长时间 40
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON

公司还提供以下

封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216)
1210(3225) 1812(4532) 2220(5750)MMBFJ310LT1G
电压:4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV MMBFJ310LT1G
精度:?0.05PF(A档) ?0.1PF(B档) ?0.25PF(C档) ?0.5%(D档)
?1%(F档) ?2%(G档) ?5%(J档) ?10%(K档)
?20%(M档) ?%2B80%-20%(Z档)MMBFJ310LT1G
材质:COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌:村田 三星 国巨 风华 华新

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