MBT3946DW1T1G 双极结型晶体管_深圳市怡兴业电子科技有限公司

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MBT3946DW1T1G 双极结型晶体管

型号/规格：

MBT3946DW1T1G

品牌/商标：

ON（安森美）

封装形式：

SOT-363-6

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

贴片式

包装方式：

卷带编带包装

询价

产品信息

参数名称	参数值
Source Content uid	MBT3946DW1T1G
Brand Name	ON Semiconductor
是否无铅	不含铅
生命周期	Active
Objectid	2000126449
零件包装代码	SC-88
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数	6
制造商包装代码	419B-02
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	49 weeks
风险等级	0.6
Samacsys Description	ON SEMICONDUCTOR - MBT3946DW1T1G - Bipolar Transistor Array, General Purpose, NPN, PNP, 40 V, 150 mW, 200 mA, 250 hFE, SOT-363
Samacsys Manufacturer	onsemi
zui大集电极电流 (IC)	0.2 A
集电极-发射极zui大电压	40 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS
zui小直流电流增益 (hFE)	30
JESD-30 代码	R-PDSO-G6
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	2
端子数量	6
zui高工作温度	150 ?C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	NPN AND PNP
zui大功率耗散 (Abs)	0.15 W
ren证状态	Not Qualified
子类别	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的zui长时间	40
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	300 MHz
zui大关闭时间（toff）	250 ns
zui大开启时间（吨）	70 ns

公司还提供以下

封装： 0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2102） 1206（3216）
1210（3225） 1812（4532） 2220（5750）MBT3946DW1T1G
电压：4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV MBT3946DW1T1G
精度：?0.05PF（A档） ?0.1PF（B档） ?0.25PF（C档） ?0.5%（D档）
?1%（F档） ?2%（G档） ?5%（J档） ?10%（K档）
?20%（M档） ?%2B80%-20%（Z档）MBT3946DW1T1G
材质：COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌：村田三星国巨风华华新

温馨启示：电子元件是特殊产品，技术含量较高，由于本身可能存在着多种品牌，后辍与封装，所以可能导致参数与性能的差异，如有不慎，很有可能导致元件购买错误(此种失误，非质量问题一律不退换！)，为了的解决您的问题，请您在购买我们元件前，将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们！拍下物品前请与我沟通产品价格，因格不稳定，实时单价请在线咨询，以便我们能准确的发货

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