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深圳市怡兴业电子科技有限公司
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产品信息
参数名称
参数值
Source Content uid
FDC655BN
Brand Name
ON Semiconductor
是否无铅
不含铅
生命周期
Active
Objectid
4001116502
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
制造商包装代码
419BL
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
23 weeks
风险等级
1.05
Samacsys Description
FDC655BN N-Channel MOSFET, 6.3 A, 30 V PowerTrench, 6-Pin SOT-23 ON Semiconductor
Samacsys Manufacturer
onsemi
其他特性
ULTRA-LOW RESISTANCE
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
zui小漏源击穿电压
30 V
zui大漏极电流 (Abs) (ID)
6.3 A
zui大漏极电流 (ID)
6.3 A
zui大漏源导通电阻
0.025 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
zui大反馈电容 (Crss)
90 pF
JESD-30 代码
R-PDSO-G6
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
6
工作模式
ENHANCEMENT MODE
zui高工作温度
150 ?C
zui低工作温度
-55 ?C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
zui大功率耗散 (Abs)
1.6 W
ren证状态
Not Qualified
子类别
FET General Purpose Power
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的zui长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
公司还提供以下
封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216)1210(3225) 1812(4532) 2220(5750)FDC655BN
电压:4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV FDC655BN
精度:?0.05PF(A档) ?0.1PF(B档) ?0.25PF(C档) ?0.5%(D档)
?1%(F档) ?2%(G档) ?5%(J档) ?10%(K档)
?20%(M档) ?%2B80%-20%(Z档)FDC655BN
材质:COG NPO Y5V X5R X6S X7R
品牌:村田 三星 国巨 风华 华新
温馨启示:电子元件是特殊产品,技术含量较高,由于本身可能存在着多种品牌,后辍与封装,所以可能导致参数与性能的差异,如有不慎,很有可能导致元件购买错误(此种失误,非质量问题一律不退换!),为了的解决您的问题,请您在购买我们元件前,将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们!拍下物品前请与我沟通产品价格,因格不稳定,实时单价请在线咨询,以便我们能准确的发货
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