深圳市怡兴业电子科技有限公司

3年

深圳市怡兴业电子科技有限公司

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企业档案

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产品分类

优势库存(5000)普通库存(500000)集成电路(IC)(1508)电源IC(590)半导体存储器(90)二极管(241)三极管(20)场效应管MOSFET(196)可控硅IGBT(11)单片机(16)电容器(457)电阻器(12)电感器(19)电位器(1)电源/稳压器(54)微调电位器(1)连接器/接插件(49)开关(3)传感器(50)继电器(6)变频器(1)放大器(184)电声(扬声器)配件(1)印刷线路板(1)光电子/光纤/激光(2)LED(16)编码器(2)LED生产线制造设备(1)微波器件(4)其他未分类(102)
TPD4E05U06DQAR   ESD 抑制器/TVS 二极管
TPD4E05U06DQAR   ESD 抑制器/TVS 二极管
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TPD4E05U06DQAR ESD 抑制器/TVS 二极管

型号/规格:

TPD4E05U06DQAR

品牌/商标:

TI/德州仪器

封装形式:

USON-10

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

贴片式

包装方式:

卷带编带包装

产品信息

参数名称 参数值
Source Content uid TPD4E05U06DQAR
Brand Name Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohsren证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1286216092
包装说明 R-PDSO-N10
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.10.00.80
风险等级 1.51
Samacsys Description 4-Channel Ultra-Low-Capacitance IEC ESD Protection Diode
Samacsys Manufacturer Texas Instruments
Samacsys Modified On 2018-06-06 11:10:46
其他特性 ULTRA LOW CAPACITANCE
zui大击穿电压 8.5 V
zui小击穿电压 6.5 V
击穿电压标称值 7.5 V
zui大钳位电压 10 V
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-N10
JESD-609代码 e4
湿度敏感等级 1
zui大非重复峰值反向功率耗散 40 W
元件数量 1
端子数量 10
zui高工作温度 125 ?C
zui低工作温度 -40 ?C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性 UNIDIRECTIONAL
参考标准 IEC-61000-4-2, 4-4, 4-5
zui大重复峰值反向电压 5.5 V
zui大反向电流 0.01 ?A
反向测试电压 2.5 V
子类别 Transient Suppressors
表面贴装 YES
技术 AVALANCHE
端子面层 NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式 NO LEAD
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的zui长时间 30

公司还提供以下

封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216)
1210(3225) 1812(4532) 2220(5750)TPD4E05U06DQAR
电压:4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV TPD4E05U06DQAR
精度:?0.05PF(A档) ?0.1PF(B档) ?0.25PF(C档) ?0.5%(D档)
?1%(F档) ?2%(G档) ?5%(J档) ?10%(K档)
?20%(M档) ?%2B80%-20%(Z档)TPD4E05U06DQAR
材质:COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌:村田 三星 国巨 风华 华新

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