MT47H128M16RT-25EAAT:C动态随机存取存储器_深圳市怡兴业电子科技有限公司

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地址：深圳市福田区深南中路佳和大厦b座1202-03
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MT47H128M16RT-25EAAT:C动态随机存取存储器

型号/规格：

MT47H128M16RT-25EAAT:C

品牌/商标：

MICRON/镁光

封装：

FBGA-84

批号：

22+

包装方式：

卷带编带包装

询价

产品信息

参数名称	参数值
是否无铅	不含铅
是否Rohsren证	符合
生命周期	Obsolete
Objectid	1793344389
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA84,9X15,32
针数	84
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
HTS代码	8542.32.00.36
风险等级	8.69
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST
zui长访问时间	0.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
zui大时钟频率 (fCLK)	400 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B84
JESD-609代码	e1
长度	12.5 mm
内存密度	2147483648 bit
内存集成电路类型	DDR2 DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	84
字数	134217728 words
字数代码	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS
zui高工作温度	105 ?C
zui低工作温度	-40 ?C
组织	128MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA84,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源	1.8 V
ren证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
筛选级别	AEC-Q100
座面zui大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	4,8
zui大待机电流	0.012 A
子类别	DRAMs
zui大压摆率	0.33 mA
zui大供电电压 (Vsup)	1.9 V
zui小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN SILVER COPPER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	9 mm

MT47H128M16RT-25EAAT:C

公司还提供以下

封装： 0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2102） 1206（3216）
1210（3225） 1812（4532） 2220（5750）MT47H128M16RT-25EAAT:C
电压：4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV MT47H128M16RT-25EAAT:C
精度：?0.05PF（A档） ?0.1PF（B档） ?0.25PF（C档） ?0.5%（D档）
?1%（F档） ?2%（G档） ?5%（J档） ?10%（K档）
?20%（M档） ?%2B80%-20%（Z档）MT47H128M16RT-25EAAT:C
材质：COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌：村田三星国巨风华华新

温馨启示：电子元件是特殊产品，技术含量较高，由于本身可能存在着多种品牌，后辍与封装，所以可能导致参数与性能的差异，如有不慎，很有可能导致元件购买错误(此种失误，非质量问题一律不退换！)，为了的解决您的问题，请您在购买我们元件前，将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们！拍下物品前请与我沟通产品价格，因格不稳定，实时单价请在线咨询，以便我们能准确的发货

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