深圳市怡兴业电子科技有限公司

BAT54SFILM 肖特基二极管与整流器

型号/规格:BAT54SFILM 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 整流电流:A 反向电压:V

SZESD7571N2T5G 瞬态抑制器

型号/规格:SZESD7571N2T5G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:X2DFN-2 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 额定反向关断电压(Vrwm): 击穿电压(Vbr): 箝位电压(Vc): 峰值脉冲电流(Ipp): 峰值脉冲功率(Ppp):

PESD5V0S1BL 瞬态抑制器

型号/规格:PESD5V0S1BL 品牌/商标:NXP（恩智浦） 封装形式:DFN-2 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 额定反向关断电压(Vrwm): 击穿电压(Vbr): 箝位电压(Vc): 峰值脉冲电流(Ipp): 峰值脉冲功率(Ppp):

P6SMB56AT3GXCZU47DR 瞬态抑制器

型号/规格:P6SMB56AT3GXCZU47DR 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:DO-214AA-2 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 额定反向关断电压(Vrwm): 击穿电压(Vbr): 箝位电压(Vc): 峰值脉冲电流(Ipp): 峰值脉冲功率(Ppp):

SZMMBZ27VALT1G 瞬态抑制器

型号/规格:SZMMBZ27VALT1G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SMD/SMT 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 额定反向关断电压(Vrwm): 击穿电压(Vbr): 箝位电压(Vc): 峰值脉冲电流(Ipp): 峰值脉冲功率(Ppp):

CDSOD323-T08C ESD 抑制器/TVS 二极管

型号/规格:CDSOD323-T08C 品牌/商标:BOURNS/伯恩斯 封装形式:SOD-323-2 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 额定反向关断电压(Vrwm): 击穿电压(Vbr): 箝位电压(Vc): 峰值脉冲电流(Ipp): 峰值脉冲功率(Ppp):

AZ23C5V1-7-F 稳压二极管

型号/规格:AZ23C5V1-7-F 品牌/商标:DIODES/美台 封装形式:SOT- 23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 反向电压: 反向击穿电流:

PESD5V0U1UT 瞬态抑制器

型号/规格:PESD5V0U1UT 品牌/商标:NXP（恩智浦） 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 额定反向关断电压(Vrwm): 击穿电压(Vbr): 箝位电压(Vc): 峰值脉冲电流(Ipp): 峰值脉冲功率(Ppp):

ESDA14V2SC6 二极管

型号/规格:ESDA14V2SC6 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:SOT-23-6 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 额定反向关断电压(Vrwm): 击穿电压(Vbr): 箝位电压(Vc): 峰值脉冲电流(Ipp): 峰值脉冲功率(Ppp):

MBT3946DW1T1G 双极结型晶体管

型号/规格:MBT3946DW1T1G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SOT-363-6 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 额定反向关断电压(Vrwm): 击穿电压(Vbr): 箝位电压(Vc): 峰值脉冲电流(Ipp): 峰值脉冲功率(Ppp):

2SD1782KT146R 双极结型晶体管(BJT)

型号/规格:2SD1782KT146R 品牌/商标:ROHM 封装形式:SC-59-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 额定反向关断电压(Vrwm): 击穿电压(Vbr): 箝位电压(Vc): 峰值脉冲电流(Ipp): 峰值脉冲功率(Ppp):

MM3Z20VST1G 稳压二极管

型号/规格:MM3Z20VST1G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SOD-323-2 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 反向电压: 反向击穿电流:

MMBZ5255BLT1G 稳压二极管

型号/规格:MMBZ5255BLT1G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SOT-23-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 反向电压: 反向击穿电流:

SM8S36ATHE3/I 抑制器/TVS 二极管

型号/规格:SM8S36ATHE3/I 品牌/商标:Vishay（威世） 封装形式:DO-218AB-2 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 额定反向关断电压(Vrwm): 击穿电压(Vbr): 箝位电压(Vc): 峰值脉冲电流(Ipp): 峰值脉冲功率(Ppp):

NJVMJD44H11T4G-VF01 双极结型晶体管(

型号/规格:NJVMJD44H11T4G-VF01 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:DPAK-3/2 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 额定反向关断电压(Vrwm): 击穿电压(Vbr): 箝位电压(Vc): 峰值脉冲电流(Ipp): 峰值脉冲功率(Ppp):

ESD122DMYR ESD 抑制器/TVS 二极管

型号/规格:ESD122DMYR 品牌/商标:TI/德州仪器 封装形式:X2SON-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 额定反向关断电压(Vrwm): 击穿电压(Vbr): 箝位电压(Vc): 峰值脉冲电流(Ipp): 峰值脉冲功率(Ppp):

S8ULCC03-2TR 瞬态抑制器

型号/规格:S8ULCC03-2TR 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:SOP-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 额定反向关断电压(Vrwm): 击穿电压(Vbr): 箝位电压(Vc): 峰值脉冲电流(Ipp): 峰值脉冲功率(Ppp):

STPS20M100SG-TR 肖特基二极管与整流器

型号/规格:STPS20M100SG-TR 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:TO-263-2 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 整流电流:A 反向击穿电流:

TPD2E001DZDR ESD 抑制器/TVS 二极管

型号/规格:TPD2E001DZDR 品牌/商标:TI/德州仪器 封装形式:SOP-4 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 额定反向关断电压(Vrwm): 击穿电压(Vbr): 箝位电压(Vc): 峰值脉冲电流(Ipp): 峰值脉冲功率(Ppp):

RB520ZS-30T2R 整流二极管

型号/规格:RB520ZS-30T2R 品牌/商标:ROHM（罗姆） 封装形式:GMD-2 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 整流电流:A 反向击穿电流:

EMI8143MUTAG 抑制器/TVS 二极管

型号/规格:EMI8143MUTAG 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:XDFN-16 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 额定反向关断电压(Vrwm): 击穿电压(Vbr): 箝位电压(Vc): 峰值脉冲电流(Ipp): 峰值脉冲功率(Ppp):

BZX84C9V1LT1G 齐纳二极管

型号/规格:BZX84C9V1LT1G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SOT-23-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 整流电流: 反向击穿电流:

SMLJ10CA 瞬态抑制器

型号/规格:SMLJ10CA 品牌/商标:BOURNS/伯恩斯 封装形式:DO-214AB-2 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 额定反向关断电压(Vrwm): 击穿电压(Vbr): 箝位电压(Vc): 峰值脉冲电流(Ipp): 峰值脉冲功率(Ppp):

1SMA5942BT3G 齐纳二极管

型号/规格:1SMA5942BT3G 品牌/商标:ON（安森美） 封装形式:SMA-2 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 整流电流: 反向击穿电流:

CDSOD323-T03S 抑制器/TVS 二极管

型号/规格:CDSOD323-T03S 品牌/商标:BOURNS/伯恩斯 封装形式:SOD-323-2 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 额定反向关断电压(Vrwm): 击穿电压(Vbr): 箝位电压(Vc): 峰值脉冲电流(Ipp): 峰值脉冲功率(Ppp):

SMA6L28A 瞬态抑制器

型号/规格:SMA6L28A 品牌/商标:Littelfuse 封装形式:DO-221AC-2 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 额定反向关断电压(Vrwm): 击穿电压(Vbr): 箝位电压(Vc): 峰值脉冲电流(Ipp): 峰值脉冲功率(Ppp):

STTH16L06CG-TR 整流二极管

型号/规格:STTH16L06CG-TR 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:D2PAK-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 整流电流:A 反向击穿电流:

PSOT24C-LF-T7 瞬态抑制器

型号/规格:PSOT24C-LF-T7 品牌/商标:PROTEK/普罗太克 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 额定反向关断电压(Vrwm): 击穿电压(Vbr): 箝位电压(Vc): 峰值脉冲电流(Ipp): 峰值脉冲功率(Ppp):

SM8S10ATHE3/I TVS - 二极管

型号/规格:SM8S10ATHE3/I 品牌/商标:Vishay（威世） 封装形式:DO-218AC 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 额定反向关断电压(Vrwm): 击穿电压(Vbr): 箝位电压(Vc): 峰值脉冲电流(Ipp): 峰值脉冲功率(Ppp):

HSMP-3810-BLKG 二极管 - 射频

型号/规格:HSMP-3810-BLKG 品牌/商标:AVAGO/安华高 封装形式:SOT-23-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 整流电流: 反向击穿电流:

BYC15-1200P 整流器 - 单

型号/规格:BYC15-1200P 品牌/商标:WEEN/瑞能 封装形式:TO-220-2 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 整流电流:A 反向击穿电流:

MSS1P6-M3/89A 二极管 - 整流器 - 单

型号/规格:MSS1P6-M3/89A 品牌/商标:Vishay（威世） 封装形式:MicroSMP 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 整流电流:A 反向击穿电流:

BAT854CW 二极管 - 整流器 - 阵列

型号/规格:BAT854CW 品牌/商标:Nexperia/安世 封装形式:SOT-323 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 整流电流:A 反向击穿电流:

PESD24VS1UB TVS - 二极管

型号/规格:PESD24VS1UB 品牌/商标:NEXPERIA/安世 封装形式:SOD-523 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 额定反向关断电压(Vrwm): 击穿电压(Vbr): 箝位电压(Vc): 峰值脉冲电流(Ipp): 峰值脉冲功率(Ppp):

PMEG3010EH 二极管 - 整流器 - 单

型号/规格:PMEG3010EH 品牌/商标:Nexperia/安世 封装形式:SOD-123F 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 整流电流:A 反向击穿电流:

MSE1PB-M3/89A 二极管 - 整流器 - 单

型号/规格:MSE1PB-M3/89A 品牌/商标:Vishay（威世） 封装形式:MicroSMP 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 整流电流:A 反向击穿电流:

PESD5V0F1BL TVS - 二极管

型号/规格:PESD5V0F1BL 品牌/商标:Nexperia/安世 封装形式:SOD-882 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 额定反向关断电压(Vrwm): 击穿电压(Vbr): 箝位电压(Vc): 峰值脉冲电流(Ipp): 峰值脉冲功率(Ppp):

BAV21WS 整流器 - 单

型号/规格:BAV21WS 品牌/商标:ST（意法半导体） 封装形式:SOD-323 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特性: 频率特性: 整流电流:A 反向击穿电流: