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深圳市怡兴业电子科技有限公司
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产品信息
参数名称 参数值 Source Content uid BSC010N04LSI 是否Rohsren证 符合 生命周期 Active Objectid 1165904590 包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 针数 8 Reach Compliance Code not_compliant ECCN代码 EAR99 风险等级 6.89 Samacsys Description MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS Samacsys Manufacturer Infineon Samacsys Modified On 2020-11-30 19:47:12 YTEOL 5.67 其他特性 ULTRA LOW RESISTANCE 雪崩能效等级(Eas) 230 mJ 外壳连接 DRAIN 配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE zui小漏源击穿电压 40 V zui大漏极电流 (ID) 37 A zui大漏源导通电阻 0.0014 Ω FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JESD-30 代码 R-PDSO-F8 JESD-609代码 e3 湿度敏感等级 1 元件数量 1 端子数量 8 工作模式 ENHANCEMENT MODE 封装主体材料 PLASTIC/EPOXY 封装形状 RECTANGULAR 封装形式 SMALL OUTLINE 极性/信道类型 N-CHANNEL zui大脉冲漏极电流 (IDM) 400 A 表面贴装 YES 端子面层 TIN 端子形式 FLAT 端子位置 DUAL 晶体管元件材料 SILICON
公司还提供以下
封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216)1210(3225) 1812(4532) 2220(5750)BSC010N04LSI
电压:4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV BSC010N04LSI
精度:?0.05PF(A档) ?0.1PF(B档) ?0.25PF(C档) ?0.5%(D档)
?1%(F档) ?2%(G档) ?5%(J档) ?10%(K档)BSC010N04LSI
?20%(M档) ?%2B80%-20%(Z档)BSC010N04LSI
材质:COG NPO Y5V X5R X6S X7R
品牌:村田 三星 国巨 风华 华新
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